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怎么区分可控硅模块的损坏缘由

来源:昆二晶发布日期:2019-05-11关注:-
        当可控硅模块损坏后需求查看剖析其缘由时,可把管芯从冷却套中取出,翻开芯盒再取出芯片,调查其损坏后的痕迹,以判别是何缘由。下面先容几种常见表象剖析。
        电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其方位在远离操控极上。
        电压击穿。可控硅模块因不能接受电压而损坏,其芯片中有一个光亮的小孔,有时需用扩展镜才干看见。其缘由可能是管子自身耐压降低或被电路断开时发生的高电压击穿。

可控硅模块


        电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏一样,而其方位在操控极邻近或就在操控极上。
        边际损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细微光亮小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制作厂家装置不小心所形成的。它致使电压击穿。
        以上4种缘由都是可控硅模块的常见损坏缘由,遇到可控硅模块损坏事情,应镇定剖析。
        昆二晶可控硅模块,大家用最专业的态度,关注您最细微的问题,想客户之所想,急客户之所急,用十分的品质,填平您一分的担忧。您若对大家的可控硅模块有兴趣或存在疑惑,昆二晶欢迎您咨询,咨询电话:0577-62627555,大家等着您!

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