365bet投注体育-365娱乐bet-首页

昆二晶

半导体器件品牌企业变频器、软起动器行业服务商

供应热线0577-6262755518058357161

您的位置:365bet投注体育 >昆二晶资讯中心 >资讯资讯 >产品百科

如何检测可控硅模块损坏的原因呢?

来源:昆二晶发布日期:2018-06-21关注:-
         很多企业一直不了解可控硅模块的利用价值,尤其是当可控硅模块损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面先容几种常见现象分析。
         1、电压击穿。可控硅模块因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
         2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。

可控硅模块


         3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。
         4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
         以上4种原因都是可控硅模块的常见损坏原因,遇到可控硅损坏事件,应沉着分析。更多有关可控硅常识请登录昆二晶官网。
         昆二晶可控硅模块真专家,为了您满意,大家真的走心了。若对大家的可控硅模块有兴趣或存在疑惑,昆二晶欢迎您咨询,咨询电话:0577-62627555

产品推荐

快速通道Express Lane

产品专题
应用领域
微信 关注微信关注微信 咨询 电话0577-62627555 留言 TOP

365bet投注体育|365娱乐bet

XML 地图 | Sitemap 地图