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如何根据可控硅芯片判断可控硅模块的好坏?

来源:昆二晶发布日期:2018-06-15关注:-
       当可控硅模块损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面先容几种常见现象分析。
       1、电压击穿:可控硅模块因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

可控硅模块


       2、过电流损坏:可控硅模块电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。
       3、电流上升率损坏:可控硅模块其痕迹与电流损坏相似,而其位置在控制极附近或就在控制极上。更多有关可控硅常识欢迎登录昆二晶官网。
       浙江昆二晶整流器有限企业15年专注于优质可控硅模块的研发与生产,且厂家直销,省去中间环节,最大化让利客户。截止现在已成功服务过5000多家客户,涉及各行各业,客户回头率达100%,满意率达99.9%。大家慎重承诺:一次交易,终身客户!期待您的来电:0577-62627555

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