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晶闸管模块工作时高di/dt时需注意事项

来源:昆二晶发布日期:2018-12-24关注:-
        众所周知晶闸管模块的di/dt承受能力与其芯片结温有直接关系,di/dt承受能力随着温度的上升会有明显的下降。因此用户在使用时必须保证器件的散热条件。要求在工作过程中,普通晶闸管:Tj≤125°C,高频、快速晶闸管:Tj≤115°C。
        晶闸管模块的di/dt承受能力实际反映了器件的电流快速开通能力,它受器件门极触发条件影响很大。采用上升率极陡的强触发脉冲,可以明显减小器件开通时间和开通损耗,增强器件di/dt承受能力。大家建议的触发脉冲要求为:
        触发电流幅值:IGM = (4至10倍) IGT
        触发电流上升时间:tr小于1µs。

晶闸管模块


        晶闸管模块在承受过高的di/dt时,会在其芯片产生局部瞬时高温,这种局部瞬时高温在长期工作中会影响器件的工作寿命。因此,使用者在任何时候,都应保证di/dt不应超过器件生产厂家给出的规定值,并且留有一定裕量。
        晶闸管模块的di/dt与其开通损耗关系极大,晶闸管模块高di/dt应用于高频率场合时,需考虑开通损耗上升引起的结温上升,用户应考虑降低器件通过的通态电流或增强器件散热能力。
        综上所述,增强器件局部瞬时浪涌时的温度承受能力,即晶闸管模块结温上升越小越好,就能大大提升器件的 di/dt能力。要做到这一点,关键是散热器的瞬态热阻要小。
        昆二晶晶闸管模块真专家,为了您满意,大家真的走心了。若对大家的晶闸管模块有兴趣或存在疑惑,昆二晶欢迎您咨询,咨询电话:0577-62627555

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